[여성소비자신문 한지안 기자] 세계 최대 파운드리 업체인 대만의 TSMC가 최근 미국 공장 건설을 발표한 가운데 삼성전자도 국내 파운드리(반도체 위탁생산) 생산라인을 추가하며 추격에 나섰다.

삼성전자는 경기 평택 캠퍼스 극자외선(EUV) 파운드리 생산라인 공사에 착수했다. 내년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

삼성전자는 그간 구축해 온 경기 기흥과 화성, 미국 텍사스 오스틴에 파운드리 사업장에 더해 평택사업장도 세우기로 하며 '파운드리 4각 생산체제'를 갖추게 됐다.

삼성전자의 EUV 생산 라인은 그간 화성사업장에서만 운용됐다. 삼성전자는 지난해 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노(nm) 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다.

현재 EUV 기술을 적용한 7나노 공정 기술을 보유한 파운드리 업체는 삼성전자와 TSMC 뿐이다. EUV 기술을 적용할 경우 기존 불화아르곤(ArF)보다 파장의 길이가 짧은 EUV 광원을 사용, 보다 세밀한 반도체 회로를 구현할 수 있다.

여기에 2021년 하반기부터 평택 파운드리 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 빠르게 증가할 전망이다. 이에 더해 삼성전자는 현존하는 최고의 미세공정인 5나노 제품을 하반기에 화성에서 먼저 양산하고, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 계획이다.

한편 22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2020년 1분기 전체 파운드리 시장에서 TSMC의 점유율은 54.1%, 삼성전자의 점유율은 15.9%였다. 점유율 격차는 약 38.2%p 정도로 직전 분기와 비교하면 TSMC의 점유율은 약 1.4%p 증가한 반면 삼성전자의 점유율은 약 1.9%p 감소했다.

이같은 상황에서 TSMC는 최근 현지 공장 유치를 적극 추진한 미국 정부의 지원을 받아 애리조나에 공장을 짓기로 했다.

삼성전자는 지난해 반도체 ‘2030년까지 133조원을 투자해 TSMC를 제치고 글로벌 비메모리반도체 시장 1위를 달성하겠다’는 목표를 발표한 만큼 이번 평택 파운드리 라인 확대를 통해 TSMC와의 점유율 격차를 좁혀 나갈 것으로 분석된다.

삼성전자는 지난해 4월 연구개발과 생산시설을 확충하는데 총 133조원을 투자해 오는 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다.

한지안 기자  hann9239@wsobi.com

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